一般信息
规格
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FET 类型 |
N 通道 |
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技术 |
MOSFET（金属氧化物） |
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漏源电压（Vdss） |
60V |
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） |
170mA（Ta） |
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） |
5V，10V |
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不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） |
5 欧姆 @ 500mA，10V |
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不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） |
2.5V @ 250µA |
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不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） |
.233nC @ 10V |
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Vgs（最大值） |
±20V |
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） |
50pF @ 25V |
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FET 功能 |
- |
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功率耗散（最大值） |
370mW（Ta） |
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工作温度 |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
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安装类型 |
表面贴装型 |
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供应商器件封装 |
SOT-23 |
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封装/外壳 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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图像和媒体
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